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實(shí)用屏蔽體設(shè)計(jì)的關(guān)鍵！

一般除了低頻磁場外，大部分金屬材料可以提供100dB以上的屏蔽效能。但在實(shí)際工作中，要達(dá)到80dB以上的屏蔽效能也是十分困難的。這是因?yàn)?，屏蔽體的屏蔽效能不僅取決于屏蔽體的結(jié)構(gòu)。屏蔽體要滿足電磁屏蔽的基本原則。電磁屏蔽的基本原則有兩個(gè)：
 
電磁屏蔽材料
 
1、屏蔽體的導(dǎo)電連續(xù)性：這指的是整個(gè)屏蔽體必須是一個(gè)完整的、連續(xù)的導(dǎo)電體。這一點(diǎn)在實(shí)現(xiàn)起來十分困難。因?yàn)橐粋€(gè)完全封閉的屏蔽體是沒有任何使用價(jià)值的。一個(gè)實(shí)用的機(jī)箱上會有很多孔縫造成屏蔽：通風(fēng)口、顯示口、安裝各種調(diào)節(jié)桿的開口、不同部分的結(jié)合縫隙等。由于這些導(dǎo)致導(dǎo)電不連續(xù)的因素存在，如果設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)時(shí)沒有考慮如何處理，屏蔽體的屏蔽效能往往很低，甚至沒有屏蔽效能。
 
2、不能有直接穿過屏蔽體的導(dǎo)體：一個(gè)屏蔽效能再高的屏蔽機(jī)箱，一旦有導(dǎo)線直接穿過屏蔽機(jī)箱，其屏蔽效能會損失99.9%（60dB）以上。但是，實(shí)際機(jī)箱上總會有電纜穿出（入），至少會有一條電源電纜存在，如果沒有對這些電纜進(jìn)行妥善的處理（屏蔽或?yàn)V波），這些電纜會極大的損壞屏蔽體。妥善處理這些電纜是屏蔽設(shè)計(jì)的重要內(nèi)容之一（穿過屏蔽體的導(dǎo)體的危害有時(shí)比孔縫的危害更大）。電磁屏蔽體與接地?zé)o關(guān)：對于靜電場屏蔽，屏蔽體是必須接地的。但是對于電磁屏蔽，屏蔽體的屏蔽效能卻與屏蔽體接地與否無關(guān)，這是設(shè)計(jì)人員必須明確的。在很多場合，將屏蔽體接地確實(shí)改變了電磁狀態(tài)，但這是由于其它一些原因，而不是由于接地導(dǎo)致屏蔽體的屏蔽效能發(fā)生改變。
 
孔洞電磁泄漏的估算：在遠(yuǎn)場區(qū)：SE=100-20lgL-20lgf+20lg(1+2.3lg(L/H)) 若L≥λ/2，則SE=0 dB ，這時(shí)，孔洞是完全泄漏的。
公式中： L=縫隙的長度（mm）H=縫隙的寬度（mm）   f=入射電磁波的頻率（MHz），這個(gè)公式是在遠(yuǎn)場區(qū)中，最壞的情況下（造成最大泄漏的極化方向）的屏蔽效能（實(shí)際情況下屏蔽效能可能會更大一些）。 
 
在近場區(qū)：若輻射源是電場輻射源   SE=48+20lgZC-20lgLf+20lg(1+2.3lg(L/H)) 若輻射源是磁場輻射源   SE=20lg（πD/L）+20lg(1+2.3lg(L/H))

公式中：ZC=輻射源電路的阻抗（Ω）D=孔洞到輻射源的距離（m）L、 H =孔洞的長、寬（mm）f=電磁波的頻率（MHz）注意： 
 
1)近場區(qū),孔洞的泄漏與輻射源的特性有關(guān)。當(dāng)輻射源是電場源時(shí)，孔洞的泄漏遠(yuǎn)比遠(yuǎn)場?。ㄆ帘涡芨撸?dāng)輻射源是磁場源時(shí)，孔洞的泄漏遠(yuǎn)比遠(yuǎn)場大（屏蔽效能低）。
 
2)對于近場，磁場輻射源的場合，屏蔽效能與電磁波的頻率沒有關(guān)系，因此，千萬不要認(rèn)為輻射源的頻率較低（許多磁場輻射源的頻率都較低），而掉以輕心。
 
3)這里對磁場輻射源的假設(shè)是純磁場源，因此可以認(rèn)為是一種在最壞條件下，對屏蔽效能的保守計(jì)算。對于磁場源，屏蔽與孔洞到輻射源的距離有關(guān)，距離越近，則泄漏越大。這點(diǎn)在設(shè)計(jì)時(shí)一定要注意，磁場輻射源一定要遠(yuǎn)離孔洞。
 
多個(gè)孔洞的情況：當(dāng)N個(gè)尺寸相同的孔洞排列在一起，并且相距很近（距離小于λ/2）時(shí)，造成的屏蔽效能降低10 lgN。在不同面上的孔洞不會增加泄漏，因?yàn)槠漭椛浞较虿煌?，這個(gè)特點(diǎn)可以在設(shè)計(jì)中用來避免某一個(gè)面的輻射過強(qiáng)。
 
如上所述，屏蔽體上的孔洞是造成屏蔽體泄漏的主要因素之一?？锥串a(chǎn)生的電磁泄漏并不是一個(gè)固定的數(shù)，而是與電磁波的頻率、種類、輻射源與孔洞的距離等因素有關(guān)。

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