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電磁屏蔽材料的屏蔽效能估算！

電磁波在穿過(guò)屏蔽體時(shí)發(fā)生衰減是因?yàn)槟芰坑辛藫p耗，這種損耗可以分成兩個(gè)部分：反射損耗和吸收損耗。

電磁屏蔽材料
 
反射損耗：當(dāng)電磁波入射到不同媒質(zhì)的分界面時(shí)，就會(huì)發(fā)生反射，使穿過(guò)界面的電磁能量減弱。由于反射現(xiàn)象而造成的電磁能量損失稱為反射損耗，用字母R表示。當(dāng)電磁波穿過(guò)一層屏蔽體時(shí)要經(jīng)過(guò)兩個(gè)界面，要發(fā)生兩次反射。因此，電磁波穿過(guò)屏蔽體時(shí)的反射損耗等于兩個(gè)界面上的反射損耗總和。反射損耗的計(jì)算公式如下：R=20lg(ZW/ZS)  (dB)   
 
式中: ZW=入射電磁波的波阻抗 ，ZS=屏蔽材料的特性阻抗    
|ZS|=3.68×10-7(  fμr/σr)1⁄2   式中: f=入射電磁波的頻率 ，μr=相對(duì)磁導(dǎo)率，σr=相對(duì)電導(dǎo)率
 
吸收損耗：電磁波在屏蔽材料中傳播時(shí)，會(huì)有一部分能量轉(zhuǎn)換成熱量，導(dǎo)致電磁能量損失，損失的這部分能量成為屏蔽材料的吸收損耗，用字母A表示，計(jì)算公式如下：A=3.34t(fμrσr)1/2  (dB)
 
多次反射修正因子: 電磁波在屏蔽體的第二個(gè)界面（穿出屏蔽體的界面）發(fā)生反射后，會(huì)再次傳輸?shù)降谝粋€(gè)界面，在第一個(gè)界面發(fā)射再次反射，而再次到達(dá)第二個(gè)界面，在這個(gè)界面會(huì)有一部分能量穿透界面，泄漏到空間。這部分是額外泄漏的。應(yīng)該考慮進(jìn)屏蔽效能的計(jì)算。這就是多次反射修正因子，用字母B表示，大部分場(chǎng)合，B都可以忽略。SE = R + A +B
 
屏蔽體的有效性用屏蔽效能（SE）來(lái)度量。屏蔽效能的定義如下：SE=20lg(E1/E2)   (dB)
式中：E1=沒(méi)有屏蔽時(shí)的場(chǎng)強(qiáng)  E2=有屏蔽時(shí)的場(chǎng)強(qiáng)
 
如果屏蔽效能計(jì)算中使用的是磁場(chǎng)強(qiáng)度，則稱為磁場(chǎng)屏蔽效能，如果屏蔽效能計(jì)算中使用的是電場(chǎng)強(qiáng)度，則稱為電場(chǎng)屏蔽效能。屏蔽效能的單位是分貝(dB)，下表是衰減量與屏蔽效能的對(duì)應(yīng)關(guān)系：
 
屏蔽效能
 
一般民用產(chǎn)品機(jī)箱的屏蔽效能在40dB以下，軍用設(shè)備機(jī)箱的屏蔽效能一般要達(dá)到60dB，TEMPEST設(shè)備的屏蔽機(jī)箱屏蔽效能要達(dá)到80dB以上。屏蔽室或屏蔽艙等往往要達(dá)到100dB。100dB以上的屏蔽體是很難制造的，成本也很高。
 
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