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EMI電磁屏蔽抑制策略介紹！

只有如金屬和鐵之類導(dǎo)磁率高的材料才能在極低頻率下達到較高屏蔽效率，這些材料的導(dǎo)磁率會隨著頻率增加而降低，另外如果初始磁場較強也會使導(dǎo)磁率降低，還有就是采用機械方法將屏蔽罩作成規(guī)定形狀同樣會降低導(dǎo)磁率。綜上所述，選擇用于屏蔽的高導(dǎo)磁性材料非常復(fù)雜，通常要向EMI屏蔽材料供應(yīng)商以及有關(guān)咨詢機構(gòu)尋求解決方案。

電磁屏蔽材料
 
在高頻電場下，采用薄層金屬作為外殼或內(nèi)襯材料可達到良好的屏蔽效果，但條件是屏蔽必須連續(xù)，并將敏感部分完全遮蓋住，沒有缺口或縫隙(形成一個法拉第籠)。然而在實際中要制造一個無接縫及缺口的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多個部分進行制作，因此就會有縫隙需要接合，另外通常還得在屏蔽罩上打孔以便安裝與插卡或裝配組件的連線。
 
設(shè)計屏蔽罩的困難在于制造過程中不可避免會產(chǎn)生孔隙，而且設(shè)備運行過程中還會需要用到這些孔隙。制造、面板連線、通風(fēng)口、外部監(jiān)測窗口以及面板安裝組件等都需要在屏蔽罩上打孔，從而大大降低了屏蔽性能。盡管溝槽和縫隙不可避免，但在屏蔽設(shè)計中對與電路工作頻率波長有關(guān)的溝槽長度作仔細考慮是很有好處的。
 
任一頻率電磁波的波長為: 波長(λ)=光速(C)/頻率(Hz)
    
當縫隙長度為波長(截止頻率)的一半時，RF波開始以20dB/10倍頻(1/10截止頻率)或6dB/8倍頻(1/2截止頻率)的速率衰減。通常RF發(fā)射頻率越高衰減越嚴重，因為它的波長越短。當涉及到最高頻率時，必須要考慮可能會出現(xiàn)的任何諧波，不過實際上只需考慮一次及二次諧波即可。
 
一旦知道了屏蔽罩內(nèi)RF輻射的頻率及強度，就可計算出屏蔽罩的最大允許縫隙和溝槽。例如如果需要對1GHz(波長為300mm)的輻射衰減26dB，則150mm的縫隙將會開始產(chǎn)生衰減，因此當存在小于150mm的縫隙時，1GHz輻射就會被衰減。所以對1GHz頻率來講，若需要衰減20dB，則縫隙應(yīng)小于15 mm(150mm的1/10)，需要衰減26dB時，縫隙應(yīng)小于7.5 mm(15mm的1/2以上)，需要衰減32dB時，縫隙應(yīng)小于3.75 mm(7.5mm的1/2以上)。可采用合適的導(dǎo)電襯墊使縫隙大小限定在規(guī)定尺寸內(nèi)，從而實現(xiàn)這種衰減效果。
 
╠╣以上資訊由匯為熱管理技術(shù)研發(fā)團隊提供，匯為熱管理技術(shù)專注于電子產(chǎn)品的散熱&導(dǎo)熱材料，EMI電磁屏蔽材料方案的思考，可提供電磁屏蔽材料、導(dǎo)熱膠、無硅導(dǎo)熱凝膠、導(dǎo)熱絕緣片等多種產(chǎn)品。歡迎聯(lián)絡(luò)，我們期待幫您解決熱量控制和EMI電磁屏蔽的問題！轉(zhuǎn)載請注明出處！ COPYRIGHT HUIWELL╠╣